Linggas成功建成 300T/a 電子級四氟化硅生產(chǎn)線

        高純電子級四氟化硅（SiF4）作為電子工業(yè)重要原料之一，具有較高的氟硅比，被廣泛應用于光纖、半導體或太陽能電池的生產(chǎn)，是電子產(chǎn)業(yè)核心制造業(yè)的基礎(chǔ)。它可以高效刻蝕氮化硅、硅化鉭等芯片材料，作為P型摻雜劑及外延沉積擴散硅源。特別在新一代芯片制程的高深寬比、大容量金屬層間絕緣介質(zhì)加工工藝中，四氟化硅作為硅源可以達到較高的化學沉積速率，制成更優(yōu)越的低介電常數(shù)SiO2薄膜。另外，四氟化硅也是光導纖維制造工藝的主要原料和光纖行業(yè)中硅基半導體離子注入制程的關(guān)鍵成分。

        綠菱電子材料（天津）有限公司致力于為集成電路、平板顯示、半導體照明、光伏電池材料以及光纖等行業(yè)提供各種特種氣體產(chǎn)品與服務。我們的研發(fā)團隊緊跟半導體先進制程的更新?lián)Q代，不斷推進特種氣體在先進制程中的開發(fā)和應用，持續(xù)保持在行業(yè)中的優(yōu)勢地位。經(jīng)過幾年的技術(shù)研發(fā)，攻克了四氟化硅與復雜多元鹵代硅烷混合體系的分離純化難題，成功實現(xiàn)了大批量生產(chǎn)。為了解決四氟化硅與多種雜質(zhì)共沸和四氟化硅易凝華造成夾帶的問題，綠菱自主開發(fā)了非極性弱氫鍵協(xié)同萃取劑配方，通過萃取精餾方法打破恒沸物精餾邊界，將四氟化硅中多元鹵代硅烷與碳氫化合物雜質(zhì)分離至1 ppm以下。為了滿足半導體行業(yè)，特別是光纖產(chǎn)業(yè)中離子注入雜質(zhì)（砷、硼、磷）和金屬離子雜質(zhì)（如Cu、Al、Ti、W等）的含量，又要避免四氟化硅的分解，設(shè)計了表面鈍化處理過的高比表小孔徑MJ-59型離子脫除吸附劑和金屬離子純化器，通過自主研發(fā)的MJ-59吸附劑和高效金屬離子純化器可使As、B、P等金屬離子雜質(zhì)含量達到客戶使用需求。同時，公司也開發(fā)了高靈敏度的金屬離子檢測方法和新一代安全包裝物。

        綠菱電子材料（天津）有限公司已于2017年7月建成了國內(nèi)第一家300噸/年的高純電子級四氟化硅生產(chǎn)裝置并順利投產(chǎn)。

圖1 分離純化及分析裝置圖       

        高純電子級四氟化硅產(chǎn)品已通過了中芯國際、華潤上華等國內(nèi)知名公司的測試，并已實現(xiàn)批量供貨。目前高純電子級四氟化硅產(chǎn)品已經(jīng)實現(xiàn)了對美國、日本等半導體客戶的大批量出口。未來，我們將更加密切地配合國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向，依托專業(yè)團隊的全力支持，通過更為開放的合作模式，最大限度發(fā)揮國內(nèi)資源優(yōu)勢，為客戶提供可信賴的服務和更完美的解決方案。

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